Ramtron launches first 2-Megabit Serial F-RAM

F-RAM alta densità con maggior capacità di raccolta dati in un minuscolo package: sostituisce Flash in piccoli sistemi che richiedono un consumo low power

Colorado Springs, USA – 17 Aprile 2008.  Ramtron International Corporation (Nasdaq: RMTR), uno sviluppatore e fornitore leader di nonvolatile ferroelectric random access memory (F-RAM) e prodotti di semiconduttori integrati, ha svelato la prima memoria in serie F-RAM da 2-megabit(Mb) in un package 8-lead TDFN (5.0 x 6.0 mm). Prodotto su un avanzato processo 130 nanometer CMOS, FM25H20 è una memoria non volatile a alta densità che opera a una bassa potenza e caraterizza un interfaccia periferica in serie (SPI). La F-RAM in serie di 3-volt, 2Mb scrive alla massima velocità con durata virtualmente illimitata per una capacità di data collection superiore in un minuscolo package, rendendo i disegnatori di sistema in grado di ridurre i costi e il board space in una gamma di avanzate applicazioni, iclusi meters e printers.

FM25H20 è una sostituzione ideale di Flash in serie, in sofisticati sistemi elettronici che richiedono una bassa potenza e un board space minimo. Questi includono apparecchiature mediche come hearing aids, che sono fondamentalmente mini data processors con spazio limitato e budget low power. I prodotti F-RAM includono correnti operative considerevolmente basse, writes più veloci, e durata write che è ordine di più grande magnitudine rispetto a Flash. 

“La F-RAM in serie 2Mb è un' estenzione naturale per i nostri clienti metering e printer che vogliono migliorare la capacità di data collection nelle loro applicazioni della prossima generazione senza accrescere il board space. FM25H20 offre ai nostri clienti di half megabit serial F-RAM il quadruplo della memoria nello stesso piccolo footprint,” Spiega Duncan Bennett, Strategic Manager di Ramtron.  “In aggiunta all' allargamento dei nostri sistemi, questo sviluppo tecnologico trasporta F-RAM in una gamma di nuovi mercati che richiedono una memoria low power in uno spazio molto limitato, come ad esempio apparecchiature mediche portatili.”

Caratteristiche dei prodotti

FM25H20 è organizzata come una memoria non volatile 256K x 8 bit che legge e scrive a velocità bus fino a 40MHz, con durata essenzialmente illimitata, 10-anni di memorizzazione dati, e basse correnti operative. L'apparecchiatura incorpora un' interfaccia SPI a standard industriale, che ottimizza la capacità scritturale ad alta velocità di F-RAM. Sono anche inclusi un hardware e software write protection sulla FM25H20 per evitare scritture sbagliate e corruzione dei dati. La F-RAM 2Mb in serie opera a bassa potenza, scrivendo meno di 10 milliamps per reads/writes a 40MHz, 80 microamps (typical) in standby, e 3 microamps (typical) nella modalità  ultra-low-current sleep. Apparecchiature Pin-compatible con equivalente Flash in serie, ma molto superiore a causa dei loro veloci tempi di accesso, alta durata e bassa corrente operativa, la F-RAM 2Mb opera da 2.7 a 3.6 volts per l' intera gamma di temperature industriali (-40 degrees C to +85 degrees C). Per ulteriori informazioni sui prodotti, prego visitare il sito www.ramtron.com/products/nonvolatile-memory/serial-product.aspx?id=100.

About the Advanced 130 Nanometer Process

FM25H20 è basata sul processo di produzione Texas Instruments’ proven 130 nanometer (nm) CMOS. Solamente due ulteriori mask steps sono stati usati per includere il modulo F-RAM non volatile all' interno di  logici processi standard CMOS 130nm.

Pricing and Availability

Esempi di FM25H20 sono disponibili in un package 8-pin TDFN che è RoHS-compliant e footprint-compatible con 8-pin SOICs.